2024年9月29日拟对建设项目环评文件作出审批意见的公示

建设项目环评文件作出审批意见的公示（1）

1：项目名称：3英寸化合物半导体芯片制造项目

2：建设地点：武进国家高新区龙瑞路以南、凤翔路以西

3：建设单位：常州纵慧芯光半导体科技有限公司

4：项目概况：项目用地40亩，新建生产用房及辅助用房，新建总建筑面积28383.99平方米（计容面积37976.54平方米），购置步进式光刻机、电子束曝光等设备及设施共84台套，项目建成后，可形成年产3英寸砷化镓芯片和3英寸磷化铟芯片合计约5千万颗的生产能力。

5：主要环节影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施；

5.1本项目生活污水由市政污水管网接管至武南污水处理厂处理；生产废水经厂内污水站分质处理后接管至武高新工业污水处理厂处理。

5.2本项目外延生长废气经设备内置过滤器吸附+燃烧设施+碱液喷淋处理、介质膜蚀刻废气经等离子燃烧处理、干法蚀刻废气经等离子燃烧处理后和石英件清洗、腔体清洁、二次外延准备废气、湿法蚀刻废气一起经一级碱液喷淋处理后合并通过1根25m高1#排气筒排放；外延冷阱清洗废气、检测废气、晶圆清洗碱性废气、介质膜沉积废气、湿法蚀刻碱性废气、污水站废气经一级酸液喷淋处理后通过1根25m高2#排气筒排放；晶圆清洗废气、去胶废气、光刻废气、金属剥离废气、键合、去键合废气通过两级活性炭处理后通过1根25m高3#排气筒排放；危废库废气经一套两级活性炭处理后通过1根15m高4#排气筒排放。本项目厂房内车间均为洁净车间，生产过程中生产设备均为密闭装置，设备内保持微负压并连接风机及废气处理装置，减少无组织废气排放。

根据大气导则推荐的估算模式，本项目废气浓度对周围环境影响较小，根据治理措施可行性论证情况，正常工况下本项目排放的废气浓度、速率均符合《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）、《大气污染物综合排放标准》（DB32/4041-2021）中相关标准，对环境质量影响甚微。

5.3噪声执行《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB 12348-2008）3类标准。

5.4本项目生活垃圾由环卫部门清运；一般固废外售/综合处置；危险废物暂存于厂区危废仓库内，定期委托有资质的单位处理。

6：建设单位或地方政府承诺文件：无

7：联系方式：0519-86318053

1、公示期为2024年9月24日至2024年10月10日。

2、听证告知：依据《中华人民共和国行政许可法》，自公告起五日内申请人、利害关系人可对上述拟作出建设项目环境影响评价文件批复决定要求听证。